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                  MOSFET和三極管ON狀態的區別?

                  時間:2021-04-22 15:19:26來源:平尚尅 作者:小谷 點擊:
                  三極管ON狀態時工作于飽和區,導通電流Ice主要由Ib與Vce決定,由于三極管的基極驅動電流Ib一般不能保持恒定,因而Ice就不能簡單的僅由Vce來決定,即不能采用飽和Rce來表示(因Rce會變化)。由于飽和狀態下Vce較小,所以三極管一般用飽和Vce表示。
                  MOSFET和三極管,在ON狀態時,MOSFET通常用Rds,三極管通常用飽和Vce。

                  是否存在能夠反過來的情況,三極管用飽和Rce,而MOSFET用飽和Vds呢?

                  三極管ON狀態時工作于飽和區,導通電流Ice主要由Ib與Vce決定,由于三極管的基極驅動電流Ib一般不能保持恒定,因而Ice就不能簡單的僅由Vce來決定,即不能采用飽和Rce來表示(因Rce會變化)。由于飽和狀態下Vce較小,所以三極管一般用飽和Vce表示。

                  MOS管在ON狀態時工作于線性區(相當于三極管的飽和區),與三極管相似,電流Ids由Vgs和Vds決定,但MOS管的驅動電壓Vgs一般可保持不變,因而Ids可僅受Vds影響,即在Vgs固定的情況下,導通阻抗Rds基本保持不變,所以MOS管采用Rds方式。

                  電流可以雙向流過MOSFET的D和S ,正是MOSFET這個突出的優點,讓同步整流中沒有DCM的概念,能量可以從輸入傳遞到輸出,也可以從輸出返還給輸入,能實現能量雙向流動。本文由容源電子網(www.celebcircus.com)整理提供,部分內容來源于網絡,如有侵犯到你的權利請與我們聯系更正。

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